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Si4388DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
32
24
V GS = 10 thru 5 V
4V
2.0
1.6
1.2
16
0.8
25 °C
8
0
3V
0.4
0.0
T C = 125 °C
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.030
0.026
0.022
0.01 8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
1200
960
720
480
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.014
0.010
V GS = 10 V
240
0
C rss
C oss
0
8
16
24
32
40
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 5 A
1.7
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 8 A
8
6
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.1
0.9
0.7
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re ( °C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74344
S09-0392-Rev. B, 09-Mar-09
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